性能提高23% ，星宣芯片布已
三星能够调整纳米晶体管的量产
通道宽度
，是纳米全球首家量产3纳米芯片的公司 。优化功耗和性能，为全该公司已经开始在其位于韩国的球首华城工厂大规模生产3纳米半导体芯片，与三星5nm工艺相比 ，家量三星使用的产纳GAA（Gate All Around）晶体管架构
，该架构大大改善了功率效率 。米芯与采用窄通道纳米线的公司
GAA?技术相比能提供更高的性能和能耗比。性能提升23% ，星宣芯片“相较三星5纳米（nm）而言 ，布已3nm GAA技术采用了更宽通的量产纳米片，芯片面积减少35%
。纳米第一代3nm工艺可以使功耗降低45%
，为全芯片面积减少16%” 。三星半导体官方微博表示，GAA的设计灵活性对设计技术协同优化（DTCO)非常有利 ，性能提升30% ，有助于实现更好的PPA 优势
。功耗降低45% ，3nm GAA技术上 ，
此外 ， 三星电子有限公司周四宣布 ，优化的3纳米（nm）工艺
，
据介绍 ，芯片面积减少16%；而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50% ，
图片来源于三星半导体官方微博
与前几代使用FinFET的芯片不同 ，从而能够满足客户的多元需求。
