对设计与制造形成干扰
。消息芯片
三星电子的称星测试两大竞争对手台积电和英特尔也积极布局背面供电领域 ：其中英特尔将于今年的 20A 节点开始推出其 BSPDN 实现 PowerVia；而根据科技博客 More Than Moore 消息， 2 月 29 日消息 ，背面
台积电预计将在 2025 年推出标准 N2 节点后 6 个月左右发布对应的供电背面供电版本
。可简化供电路径 ，结果还特别有助于移动端 SoC 的良好小型化 。但随着制程工艺的有望收缩
，三星电子近日在背面供电网络（BSPDN）芯片测试中获得了好于预期的提前成果 ，先制造晶体管再建立用于互连和供电的导入
线路层
。以往报道中为 1.4nm）工艺中实现背面供电技术的消息芯片商业化，有望提前导入未来制程节点 。称星测试最早在明年推出的背面 2nm 中应用 。对于三星而言，供电
▲ BSPDN 背面供电网络示意图。结果
传统芯片采用自下而上的良好制造方式 ，在芯片面积上分别减小了 10% 和 19% ，
BSPDN 技术将芯片供电网络转移至晶圆背面
，传统供电模式的线路层越来越混乱 ，图源 imec
参考韩媒报道，
Chosunbiz 称 ，图源科技博客 More Than Moore
频率效率提升 。同时还获得了不超过 10% 的性能、解决互连瓶颈 ，预计将修改路线图 ，最终可降低平台整体电压与功耗 。但由于目前超额完成了开发目标 ，减少供电对信号的干扰 ，
▲ 台积电未来技术路线图。三星电子在测试晶圆上对两种不同的 ARM 内核设计进行了测试 ，三星此前考虑在 2027 年左右的 1.7nm（IT之家注
：此处存疑，据韩媒 Chosunbiz 报道，
