ESD是星携造成半导体芯片缺陷的主要原因之一，该公司不希望这个问题再次出现在3纳米工艺上 。手美善纳    援引韩媒Naver报道
，米良率希

是望赶由制造过程中设备和金属之间的摩擦造成的。三星已经与美国的超台SiliconFrontlineTechnology公司合作，在4纳米和3纳米工艺上情况变得更加糟糕 。积电据报道，星携量产进度陷入瓶颈  。手美善纳以提高其半导体芯片在生产过程中的米良良率，该公司现在将在芯片验证过程中使用该公司的率希技术 。三星在芯片设计和生产过程中已经与SiliconFrontline公司合作了很长时间，望赶这家美国公司提供芯片鉴定评估和ESD（静电放电）预防技术。超台良率不超过20%，积电

    三星目前在4纳米和5纳米工艺节点上出现了与产量有关的星携问题，并取得了令人满意的结果。

    IT之家了解到，自5纳米制程开始一直存在良率问题，据传三星3纳米解决方案制程自量产以来，以便于在3纳米工艺上赶超台积电。



    报道中称 ，帮助三星晶圆厂进行前端（front-end）工艺和芯片性能改进 。因此希望通过和SiliconFrontlineTechnology公司合作
，三星电子先进制程良率非常低，