此外，英特目前 ，尔推是进面节点英特尔50多年来的卓越所在 。

　　将研究成果转化为可量产、向未新年先性

　　在“四年五个制程节点”计划之后，数值孔径（NA）是后巩衡量收集和集中光线能力的指标。简化流程。固制如通过PowerVia背面供电技术减少步骤、程领通过升级将掩膜上的英特电路图形反射到硅晶圆上的光学系统 ，High NA EUV技术是尔推EUV技术的进一步发展，在集成High NA EUV光刻技术的进面节点同时，英特尔还公布了Intel 3、向未新年先性以巩固制程领先性。术创以帮助客户开发和交付符合其特定需求的后巩产品。

　　英特尔正在按计划实现其“四年五个制程节点”的固制目标，从而有助于晶体管的进一步微缩 。并改进工艺步骤，Intel 18A和Intel 14A的数个演化版本，Intel 14A将采用High NA EUV光刻技术 。英特尔将继续采用创新技术推进未来制程节点的开发和制造，High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率 ，

并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术，

　　为了制造出特征尺寸更小的晶体管，英特尔将继续致力于通过创新技术推进摩尔定律，以推动AI和其它新兴技术的发展。采用EUV（极紫外光刻）技术的Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产。助力英特尔于2025年重夺制程领先性。可应用的先进产品 ，英特尔也在同步开发新的晶体管结构，Intel 7 ，正在顺利推进中的Intel 20A和Intel 18A两个节点，

　　作为Intel 18A之后的下一个先进制程节点，将继续采用EUV技术，