三星使用的星宣芯片GAA（Gate All Around）晶体管架构 ，“相较三星5纳米（nm）而言 ，布已有助于实现更好的量产
PPA 优势 。纳米
性能提升23% ，为全该公司已经开始在其位于韩国的球首华城工厂大规模生产3纳米半导体芯片
，
图片来源于三星半导体官方微博
与前几代使用FinFET的家量芯片不同
，三星半导体官方微博表示 ，产纳与三星5nm工艺相比 ，米芯是公司
全球首家量产3纳米芯片的公司 。芯片面积减少16%”。星宣芯片3nm GAA技术上 ，布已 三星电子有限公司周四宣布 ，量产3nm GAA技术采用了更宽通的纳米纳米片 ，与采用窄通道纳米线的为全GAA?技术相比能提供更高的性能和能耗比 。性能提高23% ，从而能够满足客户的多元需求。该架构大大改善了功率效率
。优化的3纳米（nm）工艺
，芯片面积减少16%；而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50%，
据介绍 ，性能提升30% ，
此外，GAA的设计灵活性对设计技术协同优化（DTCO)非常有利 ，三星能够调整纳米晶体管的通道宽度
，优化功耗和性能
，功耗降低45%
，芯片面积减少35%。第一代3nm工艺可以使功耗降低45%
，
