3纳电携手希望美企米良台积率
，改善赶超三星

帮助三星晶圆厂进行前端（front-end）工艺和芯片性能改进 。星携以提高其半导体芯片在生产过程中的手美善纳良率 ，是米良由制造过程中设备和金属之间的摩擦造成的 。三星电子先进制程良率非常低 ，率希量产进度陷入瓶颈 。望赶因此希望通过和SiliconFrontlineTechnology公司合作，超台以便于在3纳米工艺上赶超台积电。积电ESD是星携造成半导体芯片缺陷的主要原因之一 ，据报道  ，手美善纳该公司现在将在芯片验证过程中使用该公司的米良技术。率希

三星在芯片设计和生产过程中已经与SiliconFrontline公司合作了很长时间 ，望赶



    报道中称 ，超台    援引韩媒Naver报道 ，积电

    三星目前在4纳米和5纳米工艺节点上出现了与产量有关的星携问题，在4纳米和3纳米工艺上情况变得更加糟糕
。自5纳米制程开始一直存在良率问题 ，这家美国公司提供芯片鉴定评估和ESD（静电放电）预防技术 。并取得了令人满意的结果。

    IT之家了解到，据传三星3纳米解决方案制程自量产以来 ，良率不超过20%，该公司不希望这个问题再次出现在3纳米工艺上
。三星已经与美国的SiliconFrontlineTechnology公司合作 ，